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高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功 高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功
物質・材料研究機構(NIMS)は1月18日、「ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)」を新しい設計指針に基づいて作製し、高い正孔移動度とノーマリオフ動作を示すことを実証したと発表した。
{{ entry.title }} {{ entry.title }}
{{ entry.feedTitle }} {{ formatDate(entry.publishedAt, 'YYYY/MM/DD hh:mm') }}
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{{ formatDate(comment.createdAt, 'YYYY/MM/DD hh:mm') }} #{{ comment.seq }}

{{ comment.contents }}
{{ entry.commnetWriteText.length }} / 200
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{{ comment.contents}} {{ formatDate(comment.createdAt, 'YYYY/MM/DD hh:mm') }}

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